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In occasione del International Electron Devices Meeting
(IEDM) di San Francisco, AMD ha mostrato varie innovazioni
tecnologiche che saranno alla base della creazione di transistor
e celle memoria di prossima generazione. Di seguito l'intero
comunicato stampa.
AMD RIVELA LE PROPRIE INNOVATIVE RICERCHE SULLE NUOVE STRUTTURE
DEI TRANSISTOR E DELLE CELLE DI MEMORIA
I progressi presentati a IEDM 2002 potrebbero rappresentare
le basi per innovative soluzioni future.
SUNNYVALE, California, 9 Dicembre 2002 – Dimostrando la
propria leadership nell’ambito della ricerca e sviluppo
(R&D) nel campo dei semiconduttori, AMD presenta all’International
Electron Devices Meeting (IEDM) di quest’anno a San Francisco
diverse innovazioni tecnologiche che saranno fondamentali
per la creazione di transistor e di celle di memoria di
prossima generazione. Gli esiti della ricerca potranno essere
implementati già nel 2005. “I laboratori di AMD sono già
a buon punto nello sviluppo dei transistor e tecnologie
di memoria di prossima generazione che, una volta perfezionati,
porteranno i prodotti dei nostri clienti a livelli di prestazione,
connettività e semplicità di utilizzo mai raggiunti in precedenza”,
ha affermato Craig Sander, vice president of process technology
development di AMD.
Transistor di Prossima Generazione
A IEDM, AMD presenterà tre relazioni tecniche che mostrano
i recenti risultati della propria ricerca attualmente in
corso sulle strutture dei transistor del futuro. Principale
parte funzionante di un microchip, il transistor è fondamentalmente
uno switch microscopico che utilizza un “gate” per accendere
e spegnere il flusso di corrente elettrica. AMD fornirà
i dettagli sulla ricerca condotta con l’Università della
California, Berkley, su un nuovo tipo di transistor che
potrebbe sostituire gli attuali transistor planari , standard
del settore, per chip logici ad elevate prestazioni. Conosciuta
nell’industria dei microchip come Fin Field Effect Transistor
(FinFET), questa nuova struttura utilizza un solo sottile
strato verticale di silicio (fin) per creare due gate invece
di uno. Questo raddoppia efficacemente la corrente elettrica
che può essere mandata attraverso il transistor migliorandone
le caratteristiche di commutazione. Questo design pratico
ed efficiente permette prestazioni migliori e geometrie
sempre più piccole, e permette di sfruttare l’infrastruttura
tecnologica e produttiva esistente. A Settembre, AMD è stata
la prima azienda a dimostrare un dispositivo FinFET funzionante
con una lunghezza di gate pari a 10 nm, o 10 miliardesimi
di metro, meno di un quinto della dimensione dei transistor
più avanzati in produzione oggi. “Crediamo che gli obiettivi
di prestazione dei nostri transistor richiederanno gate
di dimensioni inferiori ai 15nm entro la fine di questo
decennio, fornendo alla ricerca e sviluppo opportunità entusiasmanti”
ha affermato Sander. “Le strutture dei transistor multi-gate
quali la nostra versione del FinFET, sono la chiave per
raggiungere prestazioni di prossima generazione, continuando
allo stesso tempo ad utilizzare molti dei metodi di produzione
già esistenti ”. AMD presenterà anche due relazioni sui
successi ottenuti dall’azienda nella costruzione di transistor
con gate ottenuti dal metallo, invece che dal polisilicio
che è lo standard attuale. Questa ricerca ha lo scopo di
portare le prestazioni dei transistor ai massimi livelli,
per i processi di produzione dell’azienda entro il 2005
e oltre. La tecnologia del gate basato sul nichel promette
di aumentare in modo notevole le prestazioni dei transistor
migliorando il flusso di corrente elettrica nel transistor
stesso. Quando implementati in modo appropriato, i gate
di metallo eliminano l’attuale pratica di mettere impurità
nel canale sotto il gate del transistor per raggiungere
commutazione ottimali. La rimozione di queste impurità permetterà
un flusso di corrente elettrica migliore, che a sua volta
aumenta le prestazione del transistor. Si prevede, inoltre,
che questi gate a base di nichel offriranno la possibilità
di abbassare i costi di produzione rispetto ad altre tecnologie
di gate di metallo studiate oggi nel settore.
Memorie Flash del Futuro
AMD, insieme alla Stanford University, presenterà anche
una relazione che dimostra una nuova struttura di cella
della memoria Flash che potrebbe essere utile per portare
la memoria Flash alla generazione dei 65nm. Questa nuova
struttura utilizza minuscoli “fili” (nanowire) di polisilicio
delle dimensioni di 5nm di larghezza per immagazzinare la
carica elettrica. A queste piccole dimensioni le celle della
memoria dimostrano un vero comportamento meccanico quantico,
fornendo velocità di cancellazione di diversi ordini di
grandezza superiori rispetto alle celle di memoria Flash
convenzionali, mostrando allo stesso tempo una ritenzione
dei dati eccellente. Questa tecnologia potrebbe permettere
di incorporare in un singolo chip Flash maggiori quantità
di memoria, aumentando allo stesso tempo in modo notevole
la velocità e riducendo l’energia necessaria alla cella
per leggere e scrivere.
A IEDM
AMD presenterà questi e altri risultati a IEDM 2002, che
ha luogo all’Hotel Hilton and Towers di San Francisco dall’8
all’11 Dicembre. Le date, gli orari e le location possono
variare. Per il programma definitivo e per ulteriori informazioni,
consultare il sito web di IEDM alla pagina http://www.his.com/~iedm/index.html
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