Diodo
Componente elettronico a due terminali attraverso cui la conduzione è unidirezionale, cioè la corrente scorre sotto una sola direzione del campo elettrico applicato.
I diodi sono costituiti da un
piccolo cristallo di materiale semiconduttore, normalmente una piastrina di
silicio o di germanio, di cui una parte è drogata positivamente (regione p) e
l'altra negativamente (regione n). Le due regioni a drogaggio opposto
determinano una giunzione tra le cariche positive e quelle negative, detta
giunzione p-n.
Per comprendere il funzionamento del
diodo raddrizzatore è opportuno analizzare la distribuzione delle cariche nella
prossimità della giunzione. Il contatto tra i semiconduttori a drogaggio
opposto origina la diffusione dei trasportatori di carica da un lato all'altro
della giunzione. Viene pertanto a originarsi ai lati della giunzione uno strato
di impoverimento dei trasportatori di carica di maggioranza (vale a dire gli
elettroni nel semiconduttore n e le lacune nel semiconduttore p); ne segue che
il lato p esibisce un eccesso di carica negativa e quello n un eccesso di carica
positiva. Pertanto si viene a creare ai lati della giunzione una barriera di
potenziale Vs che interrompe il processo di diffusione nel momento (pressoché
istantaneo). In altri termini, la barriera di potenziale Vs ostacola il flusso
dei portatori di maggioranza fino a eguagliare quello dei trasportatori di
minoranza non influenzato dalla barriera stessa, in modo che la corrente totale
attraverso la giunzione risulta nulla nelle condizioni di riposo, Ir=IM+Im.
Consideriamo
ora di applicare alla giunzione una tensione esterna V con la stessa polarità
della barriera di potenziale Vs. Ne segue che V si addiziona a Vs aumentando la
barriera di potenziale al valore di Vs+V. Ciò ostacola ulteriormente il flusso
dei trasportatori di maggioranza mentre resta costante quello dei trasportatori
di minoranza non influenzati dalla barriera; pertanto in queste condizioni IM
cade praticamente a zero e il diodo si dice interdetto: IM<<Im e nel diodo
stesso circola solamente una debole corrente inversa Ii=Im-IM=Im.
Quando viceversa la polarità della
tensione applicata V è opposta a quella della barriera, l'altezza di
quest'ultima decresce al valore Vs-V, permettendo ad un elevato numero di
portatori di maggioranza di diffondere attraverso la giunzione, mentre rimane
ancora pressoché invariato quello dei trasportatori di minoranza. Pertanto in
queste condizioni, in cui il diodo si dice in conduzione diretta, si ha che
IM>>Im e nel diodo stesso circola un'elevata corrente diretta Id=IM-Im=IM,
che aumenta progressivamente al crescere di V.
L'analisi quantitativa del processo di
conduzione alla giunzione p-n permette di ricavare la relazione che intercorre
tra tensione applicata e corrente, vale a dire la curva caratteristica del diodo
che ha un andamento generico esponenziale.
La realizzazione di giunzioni
p-n dotate di caratteristiche particolari permette di ottenere tipi particolari
di diodo, che mostrano caratteristiche variabili a seconda della intensità e
del verso della tensione applicata. Alcuni esempi sono costituiti dal diodo
Zener, sfruttato come stabilizzatore di tensione, dal diodo Schottky, dotato di
tempi rapidissimi di commutazione, particolarmente adatto nei circuiti
elettronici ad alta frequenza, dal diodo tunnel, la cui corrente inversa può
raggiungere valori molto elevati, utilizzato soprattutto come oscillatore,
amplificatore e commutatore, e infine dal diodo varactor, che, grazie alla
capacità variabile mostrata in polarizzazione inversa, trova la sua
applicazione ottimale in circuiti di sintonizzazione per VHF e microonde.
Foto-diodo
Un altro tipo di diodo a giunzione è il foto-diodo, che produce spontaneamente una tensione fra i terminali quando la giunzione viene sottoposta a radiazioni del visibile e del vicino infrarosso; tale caratteristica lo rende adatto all'impiego nelle celle solari.
Diodo L.E.D.
I diodi emettitori di luce o
LED (Light Emetting Diode) sono in grado di emettere una radiazione luminosa
quando per effetto di una polarizzazione diretta del diodo si ha il fenomeno dei
ricombinazione delle cariche elettriche.
Lo spettro d’emissione, cioè il colore
della radiazione, dipende dal materiale che compone il diodo. Vengono realizzati
diodi LED rossi, verdi, azzurri e arancio.
I LED sono usati come indicatori
luminosi, nei visualizzatori numerici delle calcolatrici e degli orologi
digitali, nei telecomandi e nei sistemi a fibre ottiche.
Diodo Schottky
Diodo
Schottky Componente elettronico costituito da una giunzione
metallo-semiconduttore con proprietà raddrizzatrici, in quanto conduce solo se
il metallo (di solito alluminio) è polarizzato negativamente rispetto al
semiconduttore (tipicamente silicio o arseniuro di gallio di tipo n e poco
drogato). Rispetto alla giunzione p-n, la giunzione ideata dal fisico tedesco di
origine svizzera Walter Hans Schottky (1866-1976) presenta una maggiore
conducibilità in polarizzazione diretta e una commutazione più rapida dalla
conduzione alla non conduzione. Infatti in polarizzazione diretta i portatori di
carica che attraversano la giunzione dal semiconduttore verso il metallo sono
elettroni, presenti in sovrabbondanza nel metallo stesso: la corrente di
conduzione è dunque considerevole, per cadute di tensione ai capi del diodo
ridotte rispetto ad una giunzione p-n tradizionale. La commutazione rapida si
ottiene poiché nel metallo non si creano regioni di “immagazzinamento” di
carica nei pressi della giunzione, essendo gli elettroni impegnati nella
conduzione. Tali proprietà rendono il diodo Schottky particolarmente adatto
alle alte frequenze, come rivelatore e nei circuiti logici a elevata velocità
di commutazione.
Diodo Tunnel
Diodo
Tunnel, particolare tipo di diodo a giunzione p-n, in cui
sia la zona di tipo p (ossia con eccesso di lacune) che quella di tipo n (con
eccesso di elettroni) del semiconduttore sono fortemente drogate, in modo che la
regione di svuotamento (che corrisponde allo spazio immediatamente a ridosso
della superficie di contatto fra i due materiali, e che determina la barriera di
potenziale che si stabilisce in corrispondenza della giunzione) sia estremamente
sottile. Queste condizioni fanno sì che, anche quando non vi è tensione
esterna applicata ai capi del diodo, sussista fra i due cristalli uno scambio di
cariche, che riescono ad attraversare la giunzione per “effetto tunnel”.
Il diodo tunnel fu costruito nel 1958 dal
fisico giapponese Leo Esaki, che ne spiegò anche il meccanismo di
funzionamento, e per tale risultato venne insignito del Nobel per la fisica nel
1973.
Se un diodo tunnel è polarizzato direttamente, la corrente di portatori maggioritari aumenta con la tensione,
come in un diodo normale, fino a un determinato valore del potenziale esterno,
laddove gli elettroni riescono, per effetto tunnel, ad attraversare la giunzione
in senso opposto a quello dei portatori maggioritari, creando una corrente di
segno opposto a Ip e abbassando l’intensità della corrente totale.
Ciò vale fino a un valore tipico di tensione diretta, al di là del quale la
corrente riprende a crescere all’aumentare della tensione diretta.
In polarizzazione inversa,
ovvero quando la corrente è ottenuta dai portatori di carica minoritari, la
corrente che attraversa la giunzione può essere molto alta e il diodo tunnel si
comporta come un ottimo conduttore.
La caratteristica del diodo tunnel consiste nel mostrare un intervallo a
conduttanza differenziale negativo. Questa proprietà, unita alla rapidità
inerente al meccanismo di conduzione che permette tempi di commutazione
dell'ordine dei nanosecondi, giustifica l'impiego del diodo tunnel negli
elaboratori elettronici e in apparecchiature per la generazione di frequenze
elevate; Lo rende adatto alla realizzazione di oscillatori, anche ad altissima
frequenza, di amplificatori, di commutatori, di rivelatori e di filtri di
elevata qualità.
Diodo Varactor
Diodo
varactor detto anche diodo a capacità variabile, è un particolare tipo di diodo a giunzione
p-n, in cui sia la zona di tipo p che quella di tipo n del semiconduttore
(generalmente silicio o arseniuro di gallio) sono fortemente drogate. La regione
di svuotamento di carica (che corrisponde allo spazio immediatamente a ridosso
della superficie di contatto fra i due materiali) è inoltre particolarmente
ridotta. In condizioni di polarizzazione inversa, che equivalgono a porre la
zona di tipo p a una tensione negativa rispetto alla zona di tipo n, il diodo
varactor presenta una capacità di notevole entità, che varia rapidamente con
la tensione applicata. In tali condizioni, inoltre, la resistenza interna della
giunzione è piccola, quasi trascurabile, e dunque il diodo mostra un
comportamento puramente capacitivo. Per questa ragione il diodo varactor trova
impiego nella realizzazione di circuiti di sintonia automatica per VHF e
microonde, oltre che di amplificatori e di moltiplicatori di frequenza.
Diodo Zener
Diodo
Zener, particolare tipo di diodo a giunzione p-n che sfrutta la conduzione quasi unidirezionale
offerta dalla superficie di separazione fra due zone fortemente drogate di uno
stesso cristallo semiconduttore (solitamente silicio). Quando la zona di tipo p
è polarizzata positivamente rispetto alla zona di tipo n, la giunzione presenta
bassa resistenza (polarizzazione diretta). Nel caso contrario (polarizzazione
inversa) presenta invece resistenza elevata, fino a che la tensione ai capi del
diodo è mantenuta entro un determinato intervallo di valori. Oltrepassato tale
limite, il diodo Zener diventa fortemente conduttore, impedendo alla tensione
inversa di aumentare ulteriormente (effetto descritto intorno al 1940
dall'inglese C. Zener). Per questa sua caratteristica il diodo Zener, usato in
polarizzazione inversa, è particolarmente sfruttato come stabilizzatore di
tensione o sorgente di tensione di riferimento costante.
I diodi Zener vengono usati come
stabilizzatori di tensione negli alimentatori o come standard di tensione di
riferimento in dispositivi di controllo automatico. Il potenziale a cui si
verifica il processo a catena, detto potenziale Zener, Vz, dipende dalle
caratteristiche costruttive del diodo e può variare anche di ordini di
grandezza. Sono così disponibili diodi Zener con tensioni operative variabili
da pochi volt fino a qualche centinaia di volt e con potenze dissipabili
comprese tra 100mW e 50mW.