Baroni (Riccardo) - Semiconduttori germanio e silicio transistori diodi e raddrizzatori - Hoepli [Ed. 3 - 1966]
La copertina
Teoria - Tecnologia - Applicazioni
Terza edizione aggiornata riveduta ed ampliata. 128 figure - 58 circuiti applicativi - XV tavole fuori testo.
Un valido testo di tecnologia per chi vuole approfondire i metodi di costruzione dei componenti elettronici attivi secondo le possibilità tecniche degli anni '60. Conclude il volume una parte applicativa.
Dimensioni 17,5 x 24,5. Pagine XIX-285. Brossura.
Il frontespizio
INDICE DELLA MATERIA
PARTE PRIMA: TEORIA
CAP. I - Costituzione della materia
1-1. Configurazioni atomiche
1-2. Legami eteropolari ed omopolari
1-3. Conduttori, semiconduttori ed isolanti
CAP. II - Elementi semiconduttori
2-1. La conduzione per eccesso e per difetto di elettroni
2-2. Elementi semiconduttori inquinati
2-3. Conduttività ed effetto Hall
2-4. Tempo di vita
2-5. Leghe semiconduttrici
2-6. Il legame chimico nei composti del III e V gruppo
CAP. III - Elementi di meccanica quantistica
3-1. Introduzione
3-2. Equazioni d'onda
3-3. Spin e stati quantici
3-4. Principio di esclusione del Pauli
3-5. Stati quantici e bande energetiche nei cristalli
3-6. Bande energetiche per metalli, isolanti e semiconduttori
3-7. Livelli energetici dovuti alle impurità - Livelli per i donatori ed i ricettatori
Diagrammi dei livelli di energia
CAP. IV - Contatti fra semiconduttori e metalli
4-1. Contatti raddrizzanti
4-2. Formazione di un contatto
CAP. V - Giunzioni
5-1. Definizione
5-2. Comportamento e proprietà di una giunzione
5-3. Relazioni fra tensione e corrente per una giunzione p-n
CAP. VI - Transistori
6-1. Generalità
6-2. Transistori a contatti puntiformi
6-3. Transistori a giunzione
6-4. Transistori ad effetto di campo
Transistore a contatti puntiformi schematizzato
Fenomeni che avvengono nell'interno di un transistore a contatti puntiformi, in seguito alla applicazione delle polarizzazioni.
CAP. VII - Cenni su altri complessi
7-1. Fototransistori
7-2. Tetrodo transistore
7-3. Batteria solare
7-4. Drift transistor
7-5. Transistore a barriera superficiale
7-6. Circuiti integrati
Alcuni circuiti integrati posti a confronto con una moneta da 500 lire
PARTE SECONDA: TECNOLOGIA
CAP. VIII - Estrazione e lavorazione del germanio
8-1. Giacimenti
8-2. Estrazione del biossido di germanio
8-3. Purificazione per via chimica
8-4. Riduzione del biossido di germanio
8-5. Purificazione per via fisica
Schema di un forno per la riduzione del biossido di germanio
Tecnica della fusione a zone
CAP. IX - Estrazione e lavorazione del silicio
9-1. Giacimenti
9-2. Preparazione del silicio commerciale
9-3. Purificazione
9-4. Purificazione per via fisica
CAP. X - Leghe semiconduttrici
10-1. Generalità
10-2. Purificazione degli elementi
CAP. XI - Formazione del monocristallo
Germanio
11-1. Generalità
11-2. Metodo del gradiente termico
11-3. Metodo del tiraggio mediante seme
11-4. Metodo del livellamento a zone
Silicio
11-5. Generalità
Leghe
11-6. Generalità
CAP. XII - Controlli sul monocristallo
12-1. Resistività
12-2. Costante di Hall
12-3. Tempo di vita dei portatori di corrente minoritari
CAP. XIII - Montaggio in serie di diodi e transitori
13-1. Taglio del lingotto
13-2. Diodi a contatto puntiforme
13-3. Diodi a giunzione per lega al germanio
13-4. Diodi a giunzione per lega al silicio
13-5. Montaggio dei diodi a giunzione per diffusione al silicio
13-6. Transistori a giunzione per lega al germanio, tipo p-n-p
13-7. Transistori a giunzione per accrescimento, tipo n-p-n
13-8. Transistori mesa e planar
CAP. XIV - Collaudi
14-1. Collaudo diodi a contatto puntiforme
14-2. Collaudo diodi di potenza
14-3. Banco di collaudo universale per transistori
PARTE TERZA: APPLICAZIONI
CAP. XV - Circuiti equivalenti del transistore
A - Bassa frequenza
15-1. Il transistore come quadripolo attivo - Connessione con base comune
15-2. Parametri ibridi
15-3. Connessione con emettitore comune
15-4. Connessione con collettore comune
15-5. Curve caratteristiche
B - Alta frequenza
15-6. Connessione con base comune
15-7. Connessione con emettitore comune
15-8. Connessione con collettore comune
CAP. XVI - Amplificatori di bassa frequenza
16-1. Generalità
16-2. Stadi a basso livello
16-3. Accoppiamenti
16-4. Stadi a basso rumore
16-5. Controllo di guadagno
16-6. Controllo di tono
16-7. Stadi di potenza
16-8. Scelta della configurazione del transistore
16-9. Funzionamento in classe A
16-10. Funzionamento in classe B
16-11. Distorsione
16-12. Inversione di fase
16-13. Reazione
CAP. XVII - Circuiti applicativi
17-1. Amplificatori B. F.
17-2. Radioricevitori
17-3. Oscillatori
17-4. Altri circuiti
Contatore binario reversibile ad alta velocità
Bibliografia