Baroni (Riccardo) - Semiconduttori germanio e silicio transistori diodi e raddrizzatori - Hoepli [Ed. 2 - 1961]
La copertina
Germanio e silicio - Transistori diodi e raddrizzatori - Teoria - Tecnologia - Applicazioni
Seconda edizione completamente riveduta ed ampliata. 111 figure, 58 circuiti applicativi, 1 tabella dei transistori unificati e XI tavole fuori testo.
L'industria del transistor iniziò a svilupparsi negli anni '50. Questo testo ne ripercorre teoria, tecnologia e applicazioni, partendo dai primi dispositivi a punte di contatto metalliche su semiconduttore, fino ai transistor a giunzione e a effetto di campo in uso negli anni '60, ai primordi dell'industria che avrebbe portato all'attuale incredibile grado di integrazione e miniaturizzazione dei moderni dispositivi.
Dimensioni 18 x 25,5. Pagine XVI-278. Brossura.
Il frontespizio
INDICE DELLA MATERIA
PARTE PRIMA
TEORIA
CAP. I - Costituzione della materia
1-1. Configurazioni atomiche
1-2. Legami eteropolari ed omopolari
1-3. Conduttori, semiconduttori ed isolanti
CAP. II - Elementi semiconduttori
2-1. La conduzione per eccesso e per difetto di elettroni
2-2. Elementi semiconduttori inquinati
2-3. Conduttività ed effetto Hall
2-4. Tempo di vita
2-5. Leghe semiconduttrici
CAP. III - Elementi di meccanica quantistica
3-1. Introduzione
3-2. Equazioni d'onda
3-3. Spin e stati quantici
3-4. Principio di esclusione del Pauli
3-5. Stati quantici e bande energetiche nei cristalli
3-6. Bande energetiche per metalli, isolanti e semiconduttori
3-7. Livelli energetici dovuti alle impurità - Livelli per i donatori ed i ricettatori
CAP. IV - Contatti fra semiconduttori e metalli
4-1. Contatti raddrizzanti
4-2. Formazione di un contatto
CAP. V - Giunzioni
5-1. Definizione
5-2. Comportamento e priorità di una giunzione
5-3. Relazioni fra tensione e corrente per una giunzione p-n
CAP. VI - Transistori
6-1. Generalità
6-2. Transistori a contatti puntiformi
6-3. Transistori a giunzione
6-4. Transistori ad effetto di campo
CAP. VII - Cenni su altri complessi
7-1. Fototransistori
7-2. Tetrodo transistore
7-3. Batteria solare
7-4. Drift transistor
PARTE SECONDA
TECNOLOGIA
CAP. VIII - Estrazione e lavorazione del germanio
8-1. Giacimenti
8-2. Estrazione del biossido di germanio
8-3. Purificazione per via chimica
8-4. Riduzione del biossido di germanio
8-5. Purificazione per via fisica
CAP. IX - Estrazione e lavorazione del silicio
9-1. Giacimenti
9-2. Preparazione del silicio commerciale
9-3. Purificazione
9-4. Purificazione per via fisica
CAP. X - Formazione del monocristallo
Germanio
10-1. Generalità
10-2. Metodo del gradiente termico
10-3. Metodo del tiraggio mediante seme
10-4. Metodo del livellamento a zone
Silicio
CAP. XI - Controlli sul monocristallo
11-1. Resistività
11-2. Costante di Hall
11-3. Tempo di vita dei portatori di corrente minoritari
CAP. XII - Montaggio in serie di diodi e transistori
12-1. Taglio del lingotto
12-2. Montaggio dei diodi a contatto puntiforme
12-3. Montaggio dei diodi a giunzione al germanio
12-4. Montaggio dei diodi a giunzione al silicio
12-5. Montaggio dei transistori al germanio a giunzione per diffusione, tipo p-n-p
12-6. Transistori a giunzione per accrescimento, tipo n-p-n
CAP. XIII - Montaggio da laboratorio di complessi speciali
13-1. Tetrodi
13-2. Transistori ad effetto di campo
13-3. Transistori a giunzione per sublimazione
CAP. XIV - Collaudi
14-1. Collaudo diodi a contatto puntiforme
14-2. Collaudo diodi di potenza
14-3. Banco di collaudo universale per transistori
PARTE TERZA
APPLICAZIONI
CAP. XV - Circuiti equivalenti del transistore
A - Bassa frequenza
15-1. Il transistore come quadripolo attivo - Connessione con base comune
15-2. Parametri ibridi
15-3. Connessione con emettitore comune
15-4. Connessione con collettore comune
15-5. Curve caratteristiche
B - Alta frequenza
15-6. Connessione con base comune
15-7. Connessione con emettitore comune
15-8. Connessione con collettore comune
CAP. XVI - Amplificatori di bassa frequenza
16-1. Generalità
16-2. Stadi a basso livello
16-3. Accoppiamenti
16-4. Stadi a basso rumore
16-5. Controllo di guadagno
16-6. Controllo di tono
16-7. Stadi di potenza
16-8. Scelta della configurazione del transistore
16-9. Funzionamento in classe A
16-10. Funzionamento in classe B
16-11. Distorsione
16-12. Inversione di fase
16-13. Reazione
CAP. XVII - Circuiti applicativi
17-1. Amplificatori B. F.
17-2. Radioricevitori
17-3. Oscillatori
17-4. Altri circuiti
Tabella dei transistori unificati alle norme JETEC
Bibliografia
Contatore a decadi
Radioricevitore portatile a 5 transistori
Questa radio portatile a transistori dà un'idea del grado di miniaturizzazione oggi raggiunta grazie all'impiego dei dispositivi a semiconduttore
Transistore per U. H. F., miniatura in grandezza naturale. Le piastrine che lo circondano sono quelle impiegate per la costruzione di tale tipo di transistori.