UN PO' DI FISICA
Quando, per effetto della tensione di polarizzazione diretta, gli elettroni e le lacune vengono guidati nella regione attiva compresa fra il materiale di tipo N e quello di tipo P, l'energia può essere convertita in fotoni, infrarossi oppure visibili.
Questo implica che le coppie elettrone-lacuna passino a uno stato di maggiore stabilità, rilasciando un'energia dell'ordine di alcuni eV (elettroni volt) tramite emissione di un fotone: il rosso all'estremo dello spettro visibile, corrispondente a 700 nm, richiede, per l'emissione di un fotone, il rilascio di un quanto di energia pari a 1,77 eV; all'estremo opposto il violetto, avente lunghezza d'onda di 400 nm, richiede 3,1 eV.
La caduta di tensione ai capi del led e la lunghezza d'onda della radiazione emessa sono correlati all'esistenza di un intero intervallo di livelli energetici proibiti, meglio noto come "Energy gap" e indicato con E
g, nel quale lelettrone o la
lacuna non possono stare: i portatori vanno dunque ad occupare solo i livelli di energia permessi, i quali formano le cosiddette "bande energetiche". La "bandgap energy", o E
g, viene definita in base alla relazione:
E
g = hc/λ = 1240 eV / λ
essendo h la costante di Plank (pari a 4,13 x 10
-15 eV·s), c la velocità della luce (2,998 x 10
8 m/s) e λ la lunghezza d'onda in nm.
Di seguito sono riportate le caratteristiche principali dei materiali comunemente usati come emettitori di luce:
| Materiale | Formula | Energy Gap | Lunghezza d'onda |
| Fosfuro di Gallio | GaP | 2.24 eV | 550 nm |
| Arseniuro di Alluminio | AIAs | 2.09 eV | 590 nm |
| Arseniuro di Gallio | GaAs | 1.42 eV | 870 nm |
| Fosfuro di Indio | InP | 1.33 eV | 930 nm |
| Arseniuro di Alluminio-Gallio | AIGaAs | 1.42-1.61 eV | 770-870 nm |
| Fosfuro-Arseniuro di Indio-Gallio | InGaAsP | 0.74-1.13 eV | 1100-1670 nm |